型号: SSM6P49NU,LF(T
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
数据列表： SSM6P49NU -
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： 2 个 P 沟道（双）
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 4A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 45 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 6.74nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 480pF @ 10V
功率 - 最大值： 1W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装： 6-UDFN（2x2）
其它名称： SSM6P49NU,LF(BSSM6P49NU,LF(TSSM6P49NULFSSM6P49NULF(TTRSSM6P49NULF(TTR-NDSSM6P49NULFTR
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