型号: SSP1N60B_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 600 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 1 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 12 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220
封装: Tube
下降时间: 35 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 34 W
上升时间: 45 ns
典型关闭延迟时间: 25 ns
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Q Q:
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