型号: SSP1N60B_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 600 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 1 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 12 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220
封装: Tube
下降时间: 35 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 34 W
上升时间: 45 ns
典型关闭延迟时间: 25 ns
联系人：张
电话：15921761256
Q Q:
联系人：王先生
电话：13683302275
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：朱芳仪
电话：18123863116
Q Q:
联系人：陈先生
电话：13823793399
Q Q:
联系人：熊小姐
电话：13424293273
Q Q:
联系人：唐先生
电话：13113670037
Q Q:
联系人：曾生
电话：18719069025
Q Q:
联系人：曾小明
电话：13302962018
Q Q:
联系人：林
电话：18123937529
Q Q:
