型号: SST112-T1-E3
功能描述: Transistor; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage, V(br)gss:-55V; Gate-Source Cutoff Voltage Max, Vgs(off):-5V; Power Dissipation, Pd:350mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
制造商: Vishay
产品种类: JFET
晶体管极性: N-Channel
闸/源击穿电压: - 35 V
配置: Single
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23
封装: Reel
工厂包装数量: 3000
零件号别名: SST112-E3
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