型号: SSVMUN5312DW1T2G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA
功率 - 最大值： 187mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）： 22k
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 60 @ 5mA，10V
电阻器 - 基底（R1）： 22 千欧
电阻器 - 发射极基底（R2）： 22 千欧
供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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