型号: ST9060C
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 12 A
Vds-漏源极击穿电压: 90 V
增益: 17.3 dB
输出功率: 80 W
最大工作温度: + 200 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: M243-3
工作频率: 1.5 GHz
系列: ST9060C
类型: RF Power MOSFET
商标: STMicroelectronics
通道数量: 1 Channel
Pd-功率耗散: 170 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 2.9 V
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