型号: STAC1011-350F
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
输出功率: 370 W
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 200 C
安装风格: Screw Mount
封装 / 箱体: STAC265B
工作频率: 1030 MHz to 1090 MHz
系列: STAC1011
类型: RF Power MOSFET
商标: STMicroelectronics
通道数量: 1 Channel
Pd-功率耗散: 1440 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 144
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
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