型号: STAC4932B
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR 1000w/m 26dB N-Ch 123 MHz VHF/UHF
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 1 mA
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
增益: 26 dB
输出功率: 1.2 kW
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: STAC244B
封装: Tray
配置: Dual Common Source
工作频率: 250 MHz
系列: STAC4932B
类型: RF Power MOSFET
商标: STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值: 6 S
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 80
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
单位重量: 2.100 g
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