型号:  STB100N6F7

功能描述:  MOSFET N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a D2PAK package

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-263-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  100 A

Rds On-漏源导通电阻:  5.6 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  30 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  125 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  STripFET

封装:  Tube

系列:  STB100N6F7

商标:  STMicroelectronics

下降时间:  15 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  55.5 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  28.6 ns

典型接通延迟时间:  21.6 ns

单位重量:  4 g