型号: STB100NH02LT4
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 24V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 64nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2850pF @ 15V
功率耗散（最大值）: 100W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 6 毫欧 @ 30A，10V
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: D2PAK
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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