型号:  STB11NM60FDT4

功能描述:  MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-263-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  600 V

Id-连续漏极电流:  11 A

Rds On-漏源导通电阻:  450 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

最小工作温度:  - 65 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  160 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Reel

高度:  4.6 mm

长度:  10.4 mm

系列:  STP11NM60FD

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  MOSFET

宽度:  9.35 mm

商标:  STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:  5.2 S

下降时间:  15 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  16 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型接通延迟时间:  20 ns

单位重量:  4 g