型号: STB19NM65N
功能描述: STMicroelectronics/分立半导体产品
制造商: STMicroelectronics
标准包装: 1,000
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: MDmesh? II
包装: 带卷(TR)
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 15.5A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 270 毫欧 @ 7.75A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 55nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 1900pF @ 50V
功率 - 最大值: 150W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装: D2PAK
其它名称: 497-7001-2
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