型号: STB20N60M2-EP
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
系列： MDmesh™ M2
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 13A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
功率耗散（最大值）： 110W（Tc）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 600V
连续漏极电流ID： 13A
无铅情况/RoHs： 否
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
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联系人：Alien
Q Q:
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电话：13360071553
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联系人：郑小姐
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联系人：蔡小姐
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联系人：王小姐
电话：13391269332
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Q Q:
