型号: STB21N90K5
功能描述: N-Channel 900 V 0.299 Ohm SMT Power MOSFET - D2PAK
制造商: STMicroelectronics
系列： SuperMESH5™
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 18.5A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 5V @ 100µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 43nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1645pF @ 100V
Vgs（最大值）： ±30V
FET功能： 电流感测
功率耗散（最大值）： 250W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 299 毫欧 @ 9A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
封装形式Package： D2PAK
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 900V
连续漏极电流ID： 18.5A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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