型号:  STB24N60DM2

功能描述:  MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-263-3

通道数量:  1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:  600 V

Id-连续漏极电流:  18 A

Rds On-漏源导通电阻:  200 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  4 V

Vgs - 栅极-源极电压:  25 V

Qg-栅极电荷:  29 nC

Pd-功率耗散:  150 W

配置:  Single

商标名:  FDmesh

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  STB24N60DM2

商标:  STMicroelectronics

下降时间:  15 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  8.7 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  60 ns

典型接通延迟时间:  15 ns

单位重量:  4 g