型号: STB30NM50N
功能描述: STMicroelectronics/分立半导体产品
制造商: STMicroelectronics
标准包装： 1,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： MDmesh? II
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 27A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 115 毫欧 @ 13.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 94nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 2740pF @ 50V
功率 - 最大值： 190W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装： D2PAK
其它名称： 497-8768-2
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈亮明
电话：18172927110
Q Q:
联系人：辜先生
电话：13528816759
Q Q:
联系人：刘凤
电话：18320771883
Q Q:
