型号:  STB36NM60ND

功能描述:  MOSFET Auto-grade N-CH 650V 29A FDmesh II 0.097

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-263-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  650 V

Id-连续漏极电流:  29 A

Rds On-漏源导通电阻:  110 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  4 V

Vgs - 栅极-源极电压:  25 V

Qg-栅极电荷:  80.4 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  190 W

配置:  Single

资格:  AEC-Q101

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  STW36NM60N

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  STMicroelectronics

下降时间:  61.8 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  53.4 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  111 ns

典型接通延迟时间:  30 ns

单位重量:  4 g