型号:  STB45N60DM2AG

功能描述:  MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  D2PAK-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  600 V

Id-连续漏极电流:  34 A

Rds On-漏源导通电阻:  93 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  3 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  56 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  250 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

商标名:  MDmesh

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  4.6 mm

长度:  10.4 mm

产品:  Power MOSFET

系列:  STB45N60DM2AG

晶体管类型:  1 N-Channel Power MOSFET

类型:  High Voltage

宽度:  9.35 mm

商标:  STMicroelectronics

下降时间:  6 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  27 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  85 ns

典型接通延迟时间:  29 ns

单位重量:  4 g