型号: STB50N25M5
功能描述: STMicroelectronics/分立半导体产品
制造商: STMicroelectronics
其它有关文件： STB50N25M5 View All Specifications
产品培训模块： 5th Generation High Voltage Mosfet Technology
标准包装： 1,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： MDmesh? V
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 250V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 28A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 65 毫欧 @ 14A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 44nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1700pF @ 50V
功率 - 最大值： 110W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装： D2PAK
其它名称： 497-10024-2
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：陈欣
电话：13725554160
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：文小姐，米小姐，朱小姐
电话：13590238352
Q Q:
联系人：陈
电话：13418459109
Q Q:
联系人：丁
电话：13510562077
Q Q:
联系人：蔡洁玲
电话：15999659458
Q Q:
