型号:  STB5N62K3

功能描述:  N-Channel 620 V 1.6 Ohm Surface Mount SupeMesh III Power MosFet - D2PAK

制造商:  STMicroelectronics

系列：  SuperMESH3™

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  4.2A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  4.5V @ 50µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  26nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  680pF @ 50V

Vgs（最大值）：  ±30V

功率耗散（最大值）：  70W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  1.6 欧姆 @ 2.1A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

封装形式Package：  D2PAK

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  620V

连续漏极电流ID：  4.2A

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs