STB6N80K5规格参数_STB6N80K5全国代理商/分销商

型号: STB6N80K5
功能描述: MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in D2PAK package
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 4.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 7.5 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 110 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: MDmesh
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: STB6N80K5
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: STMicroelectronics
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
单位重量: 4 g