型号:  STB75NF20

功能描述:  N-Channel 200 V 0.034 Ohm Surfacec Mount STripFET™ Power MosFet - D2PAK

制造商:  STMicroelectronics

系列：  STripFET™

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  75A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  84nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  3260pF @ 25V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  190W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  34 毫欧 @ 37A，10V

工作温度：  -50°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

封装形式Package：  D2PAK

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  200V

连续漏极电流ID：  75A

下降时间：  29 ns

正向跨导 gFS（最大值/最小值）：  40 S

最小工作温度：  - 50 C

功率耗散：  190 W

上升时间：  33 ns

典型关闭延迟时间：  75 ns

晶体管极性：  N-Channel

汲极/源极击穿电压：  200 V

闸/源击穿电压：  ± 20 V

漏极连续电流：  75 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）：  0.034 0hms

配置：  Single

最大工作温度：  + 150 C

安装风格：  SMD/SMT

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs