型号: STB75NF20
功能描述: N-Channel 200 V 0.034 Ohm Surfacec Mount STripFET™ Power MosFet - D2PAK
制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 75A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 84nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 3260pF @ 25V
Vgs(最大值): ±20V
功率耗散(最大值): 190W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 34 毫欧 @ 37A,10V
工作温度: -50°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
封装形式Package: D2PAK
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 200V
连续漏极电流ID: 75A
下降时间: 29 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值): 40 S
最小工作温度: - 50 C
功率耗散: 190 W
上升时间: 33 ns
典型关闭延迟时间: 75 ns
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 200 V
闸/源击穿电压: ± 20 V
漏极连续电流: 75 A
电阻汲极/源极 RDS(导通): 0.034 0hms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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