型号: STB80NE06-10
功能描述: N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
制造商: STMicroelectronics
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 60 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 80 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 8.5 m Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK
封装: Tube
下降时间: 75 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 38 S
最小工作温度: - 65 C
功率耗散: 150 W
上升时间: 150 ns
工厂包装数量: 50
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