型号:  STB80NF55-06-1

功能描述:  MOSFET N-Ch, 55V-0.005ohms 80A

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-262-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  55 V

Id-连续漏极电流:  80 A

Rds On-漏源导通电阻:  6.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  300 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

商标名:  STripFET

封装:  Tube

高度:  8.95 mm

长度:  10 mm

系列:  STB80NF55-06-1

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  4.4 mm

商标:  STMicroelectronics

下降时间:  65 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  155 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  125 ns

典型接通延迟时间:  27 ns

单位重量:  1.438 g