型号:  STB8NM60T4

功能描述:  MOSFET N-Ch 650 Volt 5 Amp

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-263-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  600 V

Id-连续漏极电流:  8 A

Rds On-漏源导通电阻:  900 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  100 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  MDmesh

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  4.6 mm

长度:  10.4 mm

系列:  STB8NM60

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  MOSFET

宽度:  9.35 mm

商标:  STMicroelectronics

下降时间:  10 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  10 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  23 ns

典型接通延迟时间:  14 ns

单位重量:  4 g