型号: STB9NK60ZT4
功能描述: MOSFET N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 7 A
Rds On-漏源导通电阻: 950 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 125 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: SuperMESH
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 4.6 mm
长度: 10.4 mm
系列: STB9NK60Z
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
宽度: 9.35 mm
商标: STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值: 5.3 S
下降时间: 15 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 17 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 43 ns
典型接通延迟时间: 19 ns
单位重量: 4 g
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