型号: STBV32-AP
功能描述: 射频(RF)双极晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
系列: STBV32
晶体管类型: Bipolar
技术: Si
晶体管极性: NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO: 400 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 9 V
集电极连续电流: 1.5 A
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92AP
直流电流增益 hFE 最大值: 20
高度: 4.5 mm
长度: 4.8 mm
类型: RF Bipolar Small Signal
宽度: 3.8 mm
商标: STMicroelectronics
最大直流电集电极电流: 1.5 A
Pd-功率耗散: 1500 mW
产品类型: RF Bipolar Transistors
工厂包装数量: 2000
子类别: Transistors
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