型号: STD100N10F7
功能描述: STMicroelectronics/分立半导体产品
制造商: STMicroelectronics
其它有关文件： STD100N10F7 View All Specifications
产品培训模块： Low Voltage Power MOSFETs
标准包装： 2,500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： DeepGATE?，STripFET? VII
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 80A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 8 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 61nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 4369pF @ 50V
功率 - 最大值： 120W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装： DPAK
其它名称： 497-13548-2
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：董先生
电话：19924492152
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：刘洪
Q Q:
联系人：胡
电话：13725538488
Q Q:
联系人：方萍娟
电话：13631525115
Q Q:
