型号:  STD110N8F6

功能描述:  MOSFET N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-252-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  80 V

Id-连续漏极电流:  80 A

Rds On-漏源导通电阻:  6.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  4.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  150 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  167 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  STripFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  2.4 mm

长度:  10.1 mm

产品:  Power MOSFET

系列:  STD110N8F6

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  STripFET

宽度:  6.6 mm

商标:  STMicroelectronics

下降时间:  48 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  61 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  162 ns

典型接通延迟时间:  24 ns

单位重量:  4 g