型号: STD12N65M5/BKN
功能描述: Trans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
制造商: stmicroelectronics
包装： 3DPAK
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 650 V
最大连续漏极电流： 8.5 A
RDS -于： 430@10V mOhm
最大门源电压： 25 V
典型导通延迟时间： 22.6 ns
典型上升时间： 17.6 ns
典型关闭延迟时间： 15.6 ns
典型下降时间： 23.4 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Cut Tape
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Q Q:
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