型号:  STD18N55M5

功能描述:  STMicroelectronics/分立半导体产品

制造商:  STMicroelectronics

其它有关文件：  STD18N55M5 View All Specifications

产品培训模块：  5th Generation High Voltage Mosfet Technology

标准包装：  2,500

类别：  分立半导体产品

家庭：  FET - 单

系列：  MDmesh? V

包装：  带卷（TR）

FET 类型：  MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：  标准

漏源极电压（Vdss）：  550V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  16A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：  192 毫欧 @ 8A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：  31nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：  1260pF @ 100V

功率 - 最大值：  110W

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：  D-Pak

配用：  497-10309-5-ND - DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220AC

其它名称：  497-10955-2