型号: STD1NB80T4
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 800 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 1 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 20 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252
封装: Reel
下降时间: 15 ns
最小工作温度: - 65 C
功率耗散: 50 W
上升时间: 10 ns
工厂包装数量: 2500
联系人：肖瑶，树平
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