型号:  STD2LN60K3

功能描述:  MOSFET N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-252-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  600 V

Id-连续漏极电流:  2 A

Rds On-漏源导通电阻:  4.5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  4.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

Qg-栅极电荷:  12 nC

Pd-功率耗散:  45 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  SuperMESH

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  STD2LN60K3

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  STMicroelectronics

下降时间:  21 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  8.5 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  23.5 ns

典型接通延迟时间:  10 ns

单位重量:  4 g