型号:  STD30N10F7

功能描述:  Single N-Channel 100 V 0.024 Ohm 19 nC 50 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3

制造商:  STMicroelectronics

系列：  DeepGATE™，STripFET™ VII

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  32A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  4.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  19nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1270pF @ 50V

Vgs（最大值）：  20V

功率耗散（最大值）：  50W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  24 毫欧 @ 16A，10V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

封装形式Package：  DPAK

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  100V

连续漏极电流ID：  32A

RoHS：  符合 RoHS

最高工作温度：  + 175 C

50 W：  Pd - 功率消耗

安装风格：  SMD/SMT

品牌：  STMicroelectronics

下降时间：  5.6 ns

最低工作温度：  - 55 C

上升时间：  17.5 ns

晶体管极性：  N-Channel

标准包装数量：  2500

标准断开延迟时间：  22 ns

Vds - 漏-源击穿电压：  100 V

Vgs - 闸极-源极击穿电压：  20 V

Id - C连续漏极电流：  32 A

Rds On - 漏-源电阻：  24 m0hms

配置：  Single

Vgs th - 门源门限电压：  4.5 V

19 nC：  Qg - 闸极充电

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs