型号: STD3PK50Z
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
系列： SuperMESH™
FET类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 2.8A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 100µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 20nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 620pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±30V
功率耗散（最大值）： 70W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 4 欧姆 @ 1.4A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
封装形式Package： DPAK
极性Polarity： P-CH
漏源极击穿电压VDSS： 500V
连续漏极电流ID： 2.8A
无铅情况/RoHs： 否
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：陈
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Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
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联系人：陈晓玲
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Q Q:
联系人：李杰
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Q Q:
