型号: STD4LN80K5
功能描述: MOSFET N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 3 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 3.7 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 60 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: MDmesh
封装: Cut Tape
封装: Reel
系列: STD4LN80K5
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: STMicroelectronics
下降时间: 25 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 31 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
单位重量: 340 mg
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