型号:  STD4NK100Z

功能描述:  MOSFET Automotive-grade N-channel 1000 V, 5.6 Ohm typ., 2.2 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in a DPAK package

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-252-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  1 kV

Id-连续漏极电流:  2.2 A

Rds On-漏源导通电阻:  6.8 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  4.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

Qg-栅极电荷:  18 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  90 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

商标名:  SuperMESH

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  2.4 mm

长度:  10.1 mm

产品:  Power MOSFET

系列:  STD4NK100Z

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  SuperMESH

宽度:  6.6 mm

商标:  STMicroelectronics

下降时间:  39 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  7.5 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型接通延迟时间:  15 ns

单位重量:  4 g