型号: STD5406NT4G-VF01
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 12.2A（Ta），70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 45nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs: 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2500pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds: 32V
功率耗散（最大值）: 3W（Ta），100W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 10 毫欧 @ 30A，10V
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: DPAK
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：盛建容
电话：18964393960
Q Q:
联系人：启动宇宙
电话：15357025998
Q Q:
联系人：李保江
电话：13537883137
Q Q:
