型号:  STD5N20LT4

功能描述:  MOSFET N-Ch 200 Volt 5 Amp

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-252-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  200 V

Id-连续漏极电流:  5 A

Rds On-漏源导通电阻:  700 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  5 V

Qg-栅极电荷:  5 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  33 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  STripFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  2.4 mm

长度:  6.6 mm

系列:  STD5N20L

晶体管类型:  1 N-Channel MOSFET

类型:  MOSFET

宽度:  6.2 mm

商标:  STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:  6.5 S

下降时间:  15.5 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  21.5 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  14 ns

典型接通延迟时间:  11.5 ns

单位重量:  4 g