型号:  STD6N65M2

功能描述:  

制造商:  STMicroelectronics

系列：  MDmesh™

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  4A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  9.8nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  226pF @ 100V

Vgs（最大值）：  ±25V

功率耗散（最大值）：  60W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  1.35 欧姆 @ 2A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

封装形式Package：  DPAK

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  650V

连续漏极电流ID：  4A

Ciss-输入电容：  226 pF

Id-连续漏极电流：  4 A

典型关闭延迟时间：  6.5 ns

商标名：  MDmesh

安装风格：  SMD/SMT

封装/外壳：  DPAK-3

晶体管极性：  N-Channel

最大工作温度：  + 150 C

Pd-功率耗散：  60 W

最小工作温度：  - 55 C

Qg-栅极电荷：  9.8 nC

Rds On-漏源导通电阻：  1.35 0hms

Vds-漏源极击穿电压：  650 V

Vgs th-栅源极阈值电压：  3 V

Vgs-栅源极击穿电压：  25 V

上升时间：  7 ns

下降时间：  20 ns

无铅情况/RoHs：  否