型号:  STD80N6F6

功能描述:  N-Channel 60 V 80 A 6.5 mO 120 W SMT STripFET DeepGATE Power Mosfet - TO-252-3

制造商:  STMicroelectronics

系列：  DeepGATE™，STripFET™ VI

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  80A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  4.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  122nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  7480pF @ 25V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  120W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  6.5 毫欧 @ 40A，10V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

封装形式Package：  DPAK

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  60V

连续漏极电流ID：  80A

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs