型号:  STD86N3LH5

功能描述:  

制造商:  STMicroelectronics

系列：  STripFET™ V

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  80A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  2.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  14nC @ 5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1850pF @ 25V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  70W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  5 毫欧 @ 40A，10V

工作温度：  175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

封装形式Package：  DPAK

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  30V

连续漏极电流ID：  80A

70 W：  Pd - 功率消耗

安装风格：  SMD/SMT

品牌：  STMicroelectronics

通道模式：  Enhancement

下降时间：  10.8 ns

最低工作温度：  - 55 C

上升时间：  14 ns

RoHS：  符合 RoHS

标准包装数量：  2500

标准断开延迟时间：  23.6 ns

晶体管极性：  N-Channel

Vds - 漏-源击穿电压：  30 V

Vgs - 闸极-源极击穿电压：  22 V

Id - C连续漏极电流：  80 A

Rds On - 漏-源电阻：  5 m0hms

配置：  Single

最高工作温度：  + 175 C

无铅情况/RoHs：  否