型号: STD9NM60N
功能描述: N-Channel 600 V 745 mOhm Surface Mount MDmesh II Power MosFet - TO-252-3
制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ II
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 6.5A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 17.4nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 452pF @ 50V
Vgs(最大值): ±25V
功率耗散(最大值): 70W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 745 毫欧 @ 3.25A,10V
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
封装形式Package: DPAK
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 600V
连续漏极电流ID: 6.5A
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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