型号: STDLED656
功能描述: N-Channel 650 V 6 A 1.3 Ohm Surface Mount Power Mosfet - TO-252-3
制造商: STMicroelectronics
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 6A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 50µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 34nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 895pF @ 100V
Vgs（最大值）： ±30V
功率耗散（最大值）： 70W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 1.3 欧姆 @ 2.7A，10V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
封装形式Package： DPAK
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 650V
连续漏极电流ID： 6A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：陈晓斌
电话：15220450004
Q Q:
联系人：东柏森电子
Q Q:
联系人：杨宇豪
电话：18611065430
Q Q:
