型号: STF100N10F7
功能描述: Single N-Channel 100 V 0.08 Ohm 30 W Through Hole Power Mosfet - TO-220FP
制造商: STMicroelectronics
系列: DeepGATE™,STripFET™ VII
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 45A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 61nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 4369pF @ 50V
Vgs(最大值): ±20V
功率耗散(最大值): 30W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 8 毫欧 @ 22.5A,10V
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
封装形式Package: TO-220FP
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 100V
连续漏极电流ID: 80A
RoHS: 符合 RoHS
最高工作温度: + 175 C
30 W: Pd - 功率消耗
安装风格: Through Hole
品牌: STMicroelectronics
下降时间: 15 ns
最低工作温度: - 55 C
上升时间: 40 ns
晶体管极性: N-Channel
标准包装数量: 50
标准断开延迟时间: 46 ns
Vds - 漏-源击穿电压: 100 V
Vgs - 闸极-源极击穿电压: 20 V
Id - C连续漏极电流: 45 A
Rds On - 漏-源电阻: 8 m0hms
配置: Single
Vgs th - 门源门限电压: 2 V to 4 V
61 nC: Qg - 闸极充电
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人:董先生
电话:18098996457
联系人:董先生
电话:18098996457
联系人:蔡小姐
电话:18129819897
联系人:Alien
联系人:李先生
电话:17080955875
联系人:刘先生
电话:18390902447
联系人:陈敏
电话:17302670049
联系人:常先生
Q Q:
联系人:陈小姐
电话:13823650281
联系人:SUNNY
电话:13590493713