STF11N65M2(045Y)规格参数_STF11N65M2(045Y)全国代理商/分销商

型号: STF11N65M2(045Y)
功能描述: STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STF11N65M2(045Y), 7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
制造商: STMicroelectronics
通道类型： N
最大连续漏极电流： 7 A
最大漏源电压： 650 V
最大漏源电阻值： 670 m0hms
最大栅阈值电压： 4V
最小栅阈值电压： 2V
最大栅源电压： -25 V、+25 V
封装类型： TO-220FP
安装类型：通孔
引脚数目： 3
晶体管配置：单
通道模式：增强
类别：功率 MOSFET
最大功率耗散： 25 W
最高工作温度： +150 °C
高度： 16.4mm
长度： 10.4mm
正向二极管电压： 1.6V
系列： MDmesh
尺寸： 10.4 x 4.6 x 16.4mm
每片芯片元件数目： 1
典型栅极电荷@Vgs： 12.5 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 410 pF @ 100 V
典型关断延迟时间： 26 ns
典型接通延迟时间： 9.5 ns
宽度： 4.6mm
晶体管材料： Si
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs