型号:  STF13NK50Z

功能描述:  

制造商:  STMicroelectronics

最高工作温度：  + 150 C

30 W：  Pd - 功率消耗

安装风格：  Through Hole

封装/外壳：  TO-220FP-3

系列：  STF13NK50Z

品牌：  STMicroelectronics

通道模式：  Enhancement

下降时间：  24 ns

最低工作温度：  - 55 C

RoHS：  符合 RoHS

上升时间：  23 ns

标准包装数量：  1000

标准断开延迟时间：  61 ns

晶体管极性：  N-Channel

Vds - 漏-源击穿电压：  500 V

Vgs - 闸极-源极击穿电压：  30 V

Id - C连续漏极电流：  11 A

Rds On - 漏-源电阻：  480 m0hms

配置：  Single

47 nC：  Qg - 闸极充电

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  11A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  4.5V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  47nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1600pF @ 25V

功率耗散（最大值）：  30W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  480 毫欧 @ 6.5A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  通孔

供应商器件封装：  TO-220FP

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs