型号: STF25NM60ND
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
系列： FDmesh™ II
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 21A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 80nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2400pF @ 50V
Vgs（最大值）： ±25V
功率耗散（最大值）： 40W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 160 毫欧 @ 10.5A，10V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3 整包
封装形式Package： TO-220FP
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 600V
连续漏极电流ID： 21A
无铅情况/RoHs： 否
联系人：谢先生
电话：13332931905
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：wendy
电话：4008866903
Q Q:
联系人：饶小艳
Q Q:
联系人：jacky
电话：15012994172
Q Q:
