型号: STF5N60M2
功能描述: STMicroelectronics/分立半导体产品
制造商: STMicroelectronics
特色产品： STMicroelectronics - Mdmesh II Plus Low Qg Power MOSFETs
标准包装： 50
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： MDmesh? II Plus
包装： 管件
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 3.7A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 1.4 欧姆 @ 1.85A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 4.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 165pF @ 100V
功率 - 最大值： 20W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3 整包
供应商器件封装： TO-220FP
其它名称： 497-14273-5STF5N60M2-ND
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