型号: STF6N52K3
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 525V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 26nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs： 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 670pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 50V
功率耗散（最大值）： 25W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 1.2 欧姆 @ 2.5A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-220FP
封装/外壳： TO-220-3 整包
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：刘先生
电话：18390902447
Q Q:
联系人：陈欣
电话：13725554160
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：蔡先生，谢小姐
电话：13925253466
Q Q:
联系人：朱
Q Q:
联系人：汪红兵
电话：14771195949
Q Q:
