型号: STF7NM60N
功能描述: MOSFET N-Ch 600 V 4.7 A MDmesh 2nd Gen
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 5 A
Rds On-漏源导通电阻: 900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V
Qg-栅极电荷: 12 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 20 W
配置: Single
商标名: MDmesh
封装: Tube
系列: STF7NM60N
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Power MOSFET
商标: STMicroelectronics
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
单位重量: 330 mg
联系人：樊勉
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联系人：陈晓玲
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